BlockBeats News, 14 августа — Аналитик Jukan со ссылкой на корейские СМИ сообщил, что Samsung Electronics рассматривает возможность перепрофилирования линии NRD-K 2 в своем научно-исследовательском кампусе нового поколения по разработке полупроводников в Хвасоне из научно-исследовательской в производственную линию литейного производства (foundry) для расширения мощностей по выпуску 2-нм чипов. Линия будет специализироваться на производстве 2-нм базовых чипов для HBM, фокусируясь на удовлетворении спроса на cHBM и HBM5 со стороны таких клиентов, как NVIDIA. Ожидается, что линия начнет работу во второй половине 2028 года по модели Send Fab, в рамках которой она будет получать пластины с других производственных линий и выполнять лишь специфические технологические этапы в качестве вспомогательного литейного производства. NRD-K — это передовой научно-исследовательский кампус Samsung, построенный с инвестициями около 20 трлн вон, где запланировано в общей сложности 3 производственные линии, первая из которых будет завершена к концу 2024 года.

Эта корректировка отражает проактивную позицию Samsung, направленную на удовлетворение резкого роста спроса на HBM, вызванного развитием инфраструктуры ИИ. Отдавая приоритет 2-нм техпроцессу для кастомных HBM и HBM5, Samsung стремится сохранить конкурентное преимущество в производительности базовых чипов для передовой корпусировки. Отраслевые наблюдатели полагают, что масштаб этой линии относительно невелик, что делает ее подходящей для роли Send Fab. Однако, поскольку до запуска остается еще около двух лет, окончательное назначение может быть скорректировано в ответ на изменения рынка, а заказы на закупку оборудования еще не были официально размещены. Ранее эта линия рассматривалась для массового производства DRAM, но Samsung дополнительно консолидировала свои мощности по выпуску DRAM в кампусе Пхёнтхэк. Это изменение производственной линии Samsung дополнительно подтверждает тенденцию к кастомизации базовых чипов HBM и развитию технологий передовых техпроцессов.