BlockBeats News, 28 августа, согласно данным Seoul Economic Daily , компания Samsung Electronics по запросу Nvidia разрабатывает 8-слойный продукт HBM4E, предназначенный для специализированной высокопропускной памяти Nvidia NVHBM. Данное решение предполагает сокращение количества слоев стекирования по сравнению с изначально запланированными Samsung 12-слойными и 16-слойными продуктами. Целевая скорость Nvidia установлена на уровне от 17 до 18 Гбит/с, что примерно на 20% выше по сравнению с ранними образцами HBM4E от Samsung, имевшими скорость 14,4 Гбит/с.

Переход на 8-слойную конструкцию позволяет уменьшить сложности, связанные с утонением пластин, прецизионным стекированием и финальной корпусировкой, что снижает нагрузку на выход годной продукции и улучшает возможности поставок. NVHBM может начать применяться начиная с ожидаемого в следующем году запуска ИИ-графического процессора Rubin Ultra. Масштаб межсоединений GPU в Rubin Ultra будет расширен с текущих 72 ядер до 576 ядер, чтобы обеспечить более эффективное высокоскоростное взаимодействие между графическими процессорами и компенсировать снижение объема памяти на один GPU.

Samsung обладает возможностями проектирования и производства DRAM, логических чипов и базовых пластин, предоставляя комплексное обслуживание для создания кастомизированной HBM. Отраслевые эксперты полагают, что Samsung продемонстрировала более высокие скорости передачи данных в HBM4, и поскольку Nvidia смещает фокус конкуренции с многослойного стекирования на высокоскоростную передачу данных, соответствующие возможности Samsung могут привлечь больше внимания.