BlockBeats tin tức, ngày 17 tháng 6, theo tiết lộ từ nhà nghiên cứu Jukan của Citrini, Samsung Electronics đang thúc đẩy chuẩn bị sản xuất hàng loạt DRAM thế hệ thứ 7 1d với quy trình 10nm, dự kiến đưa thiết bị vào nửa đầu năm sau và bắt đầu sản xuất hàng loạt ban đầu vào cuối năm sau sớm nhất. Hiện tại, độ rộng đường dây của DRAM 1c khoảng 11-12nm, trong khi 1d sẽ tiếp tục thu hẹp xuống 10-11nm để nâng cao hiệu suất và hiệu quả năng lượng.

Tiến độ phát triển quy trình này tương đối dẫn đầu, nhưng các thiết bị chủ chốt vẫn đang trong giai đoạn phát triển. Samsung và các đối tác đang tích cực nghiên cứu và phát triển để tối ưu hóa tỷ lệ thành phẩm và hiệu suất, dự kiến hoàn thiện lộ trình thời gian vào cuối năm nay.

DRAM 1d sẽ là cốt lõi trong mảng kinh doanh bộ nhớ AI của Samsung, đặc biệt được sử dụng làm chip lõi bộ nhớ băng thông cao HBM5E dự kiến thương mại hóa vào năm 2029, hỗ trợ khả năng cạnh tranh của Samsung trong chuỗi cung ứng chip AI.