BlockBeats tin tức, ngày 14 tháng 7, theo báo cáo từ ZDNET Hàn Quốc, SK Hynix đã bắt đầu mua sắm thiết bị cho phòng sạch giai đoạn đầu của nhà máy wafer đầu tiên Y1 tại cụm bán dẫn Yongin, ban đầu dự kiến bổ sung công suất sản xuất 1c DRAM 20.000 tấm mỗi tháng.

Phòng sạch giai đoạn đầu của Y1 ban đầu dự kiến khởi động vào tháng 5 năm 2027, nhưng đã được đẩy lên tháng 2 năm 2027. Công ty có kế hoạch bắt đầu xây dựng dây chuyền sản xuất thử nghiệm vào thời điểm đó và tiến hành lắp đặt thiết bị chính thức từ tháng 3 đến tháng 4, mở rộng công suất sản xuất lên 20.000 tấm mỗi tháng.

Dây chuyền sản xuất này chủ yếu sản xuất 1c DRAM thế hệ thứ 6 ở cấp độ 10 nanomet, có thể được sử dụng cho các sản phẩm DDR, LPDDR giá trị gia tăng cao liên quan đến AI, và dự kiến ứng dụng vào HBM4E sẽ thương mại hóa sớm nhất vào năm 2027. Để đẩy nhanh việc nhập thiết bị, SK Hynix cũng đã đưa các cuộc đàm phán hợp đồng giá thiết bị thường diễn ra vào cuối năm lên đầu quý 3.

SK Hynix đang đồng thời đẩy nhanh tiến độ xây dựng tổng thể cụm bán dẫn Yongin. Dự án này có tổng vốn đầu tư khoảng 600 nghìn tỷ won, bao gồm 4 nhà máy wafer, mục tiêu hoàn thành nhà máy wafer thứ tư đã được đẩy từ năm 2045 lên năm 2033; phòng sạch giai đoạn 2 và 3 của Y1 dự kiến sẽ bắt đầu xây dựng vào nửa cuối năm nay.