BlockBeats tin tức, ngày 20 tháng 7, theo nhà phân tích Jukan của Citrini, Samsung đang mở rộng liên minh NAND flash với Nvidia, bổ sung nguồn cung V9 trên cơ sở hợp tác DRAM, HBM và đúc chip hiện có, đồng thời bắt đầu xuất xưởng số lượng lớn V10, đồng thời đẩy nhanh phát triển V11 với 500 lớp.

Được thúc đẩy bởi nhu cầu tăng vọt từ KV cache của máy chủ AI và hệ thống lưu trữ CMX của Nvidia (bao gồm 576 SSD, dung lượng 9600TB), Samsung nhanh chóng chuyển đổi công suất V-NAND sang chủ yếu là V9 và lên kế hoạch tăng mạnh sản lượng. "Rubin CMX của Nvidia thực sự sẽ hấp thụ nguồn cung NAND như miếng bọt biển hút nước. So sánh trực quan, nó tương đương với việc thêm một nguồn cầu có quy mô tương đương Apple vào thị trường NAND."

Ngoài ra, Samsung bắt đầu sử dụng cải tiến vật liệu molypden trong V10 để tăng mật độ, và lãnh đạo cấp cao Lee Jae-yong sắp gặp Jensen Huang để thảo luận về việc tăng cường hợp tác HBM, nguồn cung NAND và trung tâm dữ liệu tại Hàn Quốc.