BlockBeats tin tức, ngày 5 tháng 8, Kioxia và Sandisk đã chính thức công bố chip flash NAND BiCS10 3D QLC mới nhất tại Hội nghị Tương lai của Bộ nhớ và Lưu trữ (FMS), được cho là sản phẩm 3D NAND có mật độ lưu trữ cao nhất hiện được ra mắt chính thức trên toàn cầu.

Theo giới thiệu, chip này sử dụng cấu trúc xếp chồng 332 lớp, mật độ lưu trữ trên mỗi đơn vị diện tích đạt 37 Gb/mm², được trang bị giao diện tốc độ cao lên tới 4800 MT/s, đồng thời hỗ trợ chức năng địa chỉ lệnh độc lập (SCA), chủ yếu nhắm đến thị trường SSD cấp trung tâm dữ liệu dung lượng cao.

So với sản phẩm BiCS10 3D TLC NAND mà hai công ty trước đó đã ra mắt, với mật độ lưu trữ vượt quá 29 Gb/mm², QLC NAND mới tiếp tục nâng cao mật độ dung lượng lưu trữ của trung tâm dữ liệu. Ngành công nghiệp dự đoán, với kích thước chip và số lượng ô nhớ tương tự, dung lượng của chip này có thể đạt khoảng 1,33Tb, nhưng nhà sản xuất vẫn chưa công bố thông số dung lượng cụ thể.

Để đáp ứng nhu cầu hiệu suất cao và tiêu thụ điện năng thấp của trung tâm dữ liệu, Kioxia và Sandisk cũng đã giới thiệu công nghệ đầu cuối cách ly công suất thấp (PI-LTT), giúp cải thiện tính toàn vẹn tín hiệu tốc độ cao đồng thời giảm mức tiêu thụ điện năng của bộ điều khiển đầu ra.

Hai công ty cho biết, dựa trên quy trình chế tạo BiCS10 mới nhất, QLC NAND thế hệ mới không chỉ đạt được mật độ bit cao hơn mà còn có khả năng giảm chi phí sản xuất sau khi tăng công suất, từ đó hỗ trợ các dòng SSD dung lượng cao hơn gia nhập thị trường với mức giá cạnh tranh hơn.