SemiAnalysis分析师:长鑫存储HBM技术落后于SK海力士和三星约四年
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BlockBeats 消息,7 月 14 日,SemiAnalysis 分析师 Ray Wang 昨日接受 CNBC 采访时表示,2026 年 HBM 的需求非常强劲,以至于三星和 SK 海力士不断将晶圆产能转向 HBM,而减少对普通 DRAM 的投入,即使目前普通 DRAM 的价格利润更高。
Ray Wang 认为,在 HBM 市场供不应求的情况下,两家韩国制造商都将全部 HBM 产量转化为利润,因此三星获得 HBM 市场份额并不一定意味着 SK 海力士的利益受损。限制因素是晶圆产量,而非市场需求。
谈到即将上市的长鑫存储(CXMT),Ray Wang 称该公司已经占据了大约 10% 的 DRAM 市场份额(bits 计算),这在快速增长的市场中是稳固的,但该公司在工艺技术方面落后了大约三年,在 HBM 方面落后了三到四年。
Ray Wang 认为大部分新增供应将在 2027 年下半年到来,2028 年也会有更多供应,但他仍然认为 2028 年供应不足,仅比 2027 年略微缓解。
来源:BlockBeats
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