BlockBeats 消息，8 月 28 日，据《首尔经济日报》报道，三星电子正按照英伟达要求开发 8 层 HBM4E 产品，拟用于英伟达定制高带宽存储器 NVHBM。该方案较三星原先准备的 12 层和 16 层产品减少堆叠层数，英伟达提出的目标速度为 17 至 18Gbps，较三星早期 HBM4E 样品的 14.4Gbps 提高约 20%。

采用 8 层设计可降低晶圆减薄、精密堆叠及后端封装难度，减轻良率压力并提高供应能力。NVHBM 可能从预计明年推出的 Rubin Ultra AI GPU 开始应用。Rubin Ultra 的 GPU 互连规模将由现有 72 颗扩大至最多 576 颗，以更多高速 GPU 协同弥补单颗 GPU 存储容量下降。

三星同时具备 DRAM、逻辑芯片及基础裸片的设计和生产能力，可为定制 HBM 提供一站式服务。业内人士认为，三星已在 HBM4 上展示较高传输速度，在英伟达将竞争重点由高堆叠转向高速传输后，其相关能力可能获得更多关注。